Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe Memoria

Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe Memoria

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Samsung 990 EVO, 1 TB, M.2, 5000 MB/s
Samsung 990 EVO. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 5000 MB/s, Velocità di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale

Weight & dimensions

Larghezza
80,2 mm
Profondità
22,1 mm
Altezza
2,38 mm
Peso
9 g

Features

Fattore di forma dell'unità SSD
M.2
Capacità SSD
1 TB
Interfaccia
PCI Express 4.0
Tipo memoria
V-NAND TLC
Componente per
Universale
criptaggio hardware
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Velocità di lettura
5000 MB/s
Velocità di scrittura
4200 MB/s
Supporto TRIM
Supporto S.M.A.R.T.
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
NVMe
Classificazione per TBW
600
Versione di NVMe
2.0
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Revisione PCI Express CEM
4.0

Power

Tensione di esercizio
3,3 V
Consumo di energia (in lettura)
4,9 W
Consumo di energia (in scrittura)
4,5 W
Consumo energetico (inattivo)
0,06 W
Consumo energetico (in sospensione)
0,005 W

Technical details

Durata della garanzia
5 anno/i

Packaging data

Tipo di imballo
Scatola

Operational conditions

Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Intervallo di temperatura
-40 - 85 °C
Range di umidità di funzionamento
5 - 95%
Umidità
5 - 95%
Vibrazione di non-funzionamento
20 G
Shock di non-funzionamento
1500 G